現在、最新のDRAMメモリオプションはDDR4 SDRAM（ダブルデータレート第4世代同期ダイナミックランダムアクセスメモリ）であり、2014年に市場にリリースされました。DDR2およびDDR3の後継であるDDR4の最も注目すべき改善点は、より高いモジュール密度により、より小さな物理スペースでより大きな動作容量が可能になったことと、低電圧要件です。電圧と消費電力DDR3とDDR4の電圧差は小さく、前者は1.5Vを使用し、後者はわずか1.2Vしか必要としません。特定の制限下では1.05Vまで下げることが可能ですが、これは平均的な家庭用PCユーザーにとってはそれほど大きな違いではありません。しかし、多数のサーバーを管理するネットワークおよびデータセンター管理者にとっては、数千ものDDR4モジュールが稼働することで、これらのデバイスすべてに電力を供給するコストを大幅に削減できるため、このわずかな低下は大きな積み重ねとなります。これは、モジュールあたり平均1～2W、サーバーあたり平均15Wの節約となり、古いテクノロジーと比較して20%の電力削減に相当します。低電圧で動作することで信頼性も向上し、長期的なシステム安定性が向上します。速度DDR3と比較してパフォーマンス速度も向上しました。DDR3は当初、転送速度が800MT/s（1秒あたりの転送回数）で、最大2133MT/sでした。DDR4の転送速度は2133MT/sから始まり、PremioのFlacheStream製品ラインのような最上位のフラッシュストレージサーバーオプションでは2400MT/sでの動作も可能です。DDR4の将来のアップグレードは3200MT/sに達すると予測されています。この大幅な増加は帯域幅の拡大と直接関係しており、より高い動作速度を提供します。この機能により、より大きなRAM帯域幅を必要とする専用サーバーアプリケーションが最も改善されました。ピンパッケージこれらの仕様更新により、DDR4では物理的なピンの変更ももたらされました。DDR3 RAMのピンパッケージは240ピン構成を使用していましたが、DDR4では新しい288ピンパッケージが導入されました。ピン数が増えたため、モジュールの高さはDDR3の30.35mmと比較して31.25mmに高くなりました。新しいピン配置はDDR3コンポーネントとのハードウェア非互換性をもたらし、ITプロフェッショナルがわずかなコンポーネント変更で現在のアプリケーションの費用対効果の高いアップグレードオプションを調査する上で大きな障害となります。ハードウェア技術の発展はDDR4およびDDR3構成に対応してDDR4の適用範囲を拡大する橋渡しとなりますが、現在のコンピューターアーキテクチャ内でメモリをアップグレードすることだけを考えているユーザーにとっては選択肢が限られます。レイテンシレイテンシとRAMとの関係について知らない人にとっては、速度や容量といった他の特性と比較すると、この仕様を意識しないのは理解できます。レイテンシ仕様は、プロセッサがコマンドを送信してからメモリが適切な応答を行うまでの時間を指します。この数値は、SDRAMモジュールに関して議論する際にはクロックサイクルで測定され、カラムアクセスストローブ（CAS）レイテンシまたはCLと呼ばれます。この仕様についてあまり深く立ち入ると、その全体的な重要性に対する意見が異なるため、DDR4はこのカテゴリーで劇的な改善は見られず、いくつかのテスト結果ではDDR3とDDR4が約12～14nsでほぼ同様の結果を示しています。DDRレイテンシテストの詳細については、Crucialが結果（出典：Crucial）を公開しており、詳細を知りたい人にとっては興味深い読み物です。メモリ容量DDR4の標準メモリ容量は16GBから64GBまで様々なオプションがあり、最小容量は前身のDDR3が8GBでピークに達したものの2倍となっています。カスタムDIMM（デュアルインラインメモリモジュール）キット構成は、ハイエンドゲームプラットフォームのニーズ、さらにはトップティアのビデオストリーミングや編集プログラムを使用するユーザーのニーズを満たすために、様々な動作速度を提供します。現在入手可能な一部の最新キットモジュールは、DDR4モジュールを8 x 16GBの容量で提供しており、合計128GBのRAMとなります。ほとんどのエンドユーザーはRAMメモリ容量にあまり関心がないかもしれませんが、これほど高いレベルであれば、それが提供するパフォーマンスを歓迎するでしょう。スマートフォンやタブレットにおける現在の特性に対する数多くの可能なソリューションと改善により、これまで実現できなかった新しい革新的な機能が一般に高く評価されることは確実です。
