隨著科技的進步，電腦記憶體的類型也隨之不斷演進，以滿足不斷發展的設備需求。在眾多記憶體類型（如 RAM、DRAM、ROM、PROM、EPROM 和 EEPROM）之後，快閃儲存也像其中大多數一樣，是一種允許我們儲存電腦資料的系統。我們應該感謝東芝的舛岡富士雄改進了一種可以「瞬間」清除內容的儲存類型。快閃儲存採用依賴快閃記憶體長期儲存電腦資料的方法。讓我們更深入地探討一下。由於這種儲存類型存在於大多數大大小小的運算設備中，我們需要快閃儲存技術才能使用更安全、更不易受損的解決方案快速存取我們的資料。
快閃儲存的基本內部運作原理
當我們想到快閃儲存時，我們指的是電可擦可程式化唯讀記憶體 (EEPROM)，但與標準 EEPROM 有一些不同。快閃記憶體在擦除以容納新的微晶片資料時，是以區塊為基礎而不是以位元為基礎。換句話說，當系統關機時，電源對於儲存資料來說並非必要。沒有資料會遺失。當需要大容量儲存時，會使用一種稱為 NAND 的快閃記憶體來描述此過程。
HDD 到 SDD
您可能還記得用於儲存的硬碟機 (HDD) 的時代。雖然 HDD 以其更高的性價比而聞名，但快閃硬碟提供了更好的性能。快閃儲存，也稱為固態儲存 (SDD)，在現代設備所需的儲存類型方面，通常在功耗、可靠性和緊湊性方面更有效率。SDD 儲存使用電容上的電荷的資料，這代表一個位元。快閃微晶片通常被封裝並銷售在印刷電路板上。一個典型的快閃硬碟的功耗比典型的 HDD 少高達 50%。消費級硬碟的速度顯示每秒增加超過 500MB。存取時間是微秒，而 HDD 檢索資料需要毫秒。
近年來，快閃儲存已在手機、筆記型電腦、平板電腦、穿戴式裝置、相機等小型裝置中普及，同時在重要的儲存系統中也持續成長。快閃儲存系統通常由用於儲存資料的記憶體晶片以及用於管理儲存存取的快閃控制器組成。
快閃記憶體之後 — NAND 和 NOR
隨著快閃記憶體的誕生，以及東芝舛岡再次改進，我們認識了 NAND 和 NOR 快閃記憶體。NAND 快閃記憶體是一種非揮發性儲存系統，不需要電力即可儲存資料。NAND 開發的主要目標是降低成本（每位元）、增加晶片容量，並在硬碟等磁性儲存方面提供競爭優勢。
NAND 技術透過移除訊號線和改變通訊方式，進一步縮小了記憶體晶片。NAND 快閃記憶體每個頁面僅使用一條「字」線，而不是數千位元，從而提高了速度並降低了成本。隨著涉及更大單元尺寸的技術改進，NOR 被創建並可以取代 EEPROM 和基於 ROM 的韌體。最終，NAND 快閃記憶體通常是用於個人電子產品等設備高速儲存的首選解決方案，而 NOR 快閃記憶體是用於行動電話和個人電子產品儲存可執行程式碼的解決方案。
NAND 快閃記憶體的趨勢
NAND 快閃記憶體的好消息是需求增加！當然，價格上漲和交貨時間延長是其缺點，但未來前景看好。這種需求背後沒有什麼神秘之處，因為新一代設備需要更多的 NAND 容量來增加功能、儲存空間和應用程式。筆記型電腦、資料中心和中國智慧型手機市場都是活躍市場，SSD 銷售額預計在 2017 年將超過 1.73 億美元，預計容量將增加近 23%。
從線性 2D NAND 到 3D NAND 的過渡也帶來了一些新的挑戰，因為設施試圖升級以適應最新的技術，同時對現有技術仍有很大的需求。
可擴展的快閃儲存
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- 所需晶片組
- 支援的中央處理器 (CPU)
- 支援的隨機存取記憶體 (RAM)
- 擴充槽數量
- 儲存系統類型
- 網路相容性和要求
- 作業系統 (OS) 硬碟槽
- 電源需求
- 散熱需求
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